Поставување на нови граници за складирање на податоци на мобилните уреди со цел справување со континуираното зголемување на мултимедијалната содржина
Сеул, 05. декември, 2017 – Компанијата Самсунг Електроникс (Samsung Electronics Co., Ltd.), светски лидер во напредната технологија за меморија, денес соопшти дека започнува со масовно производство на, првата во индустријата, 512 гигабајтна (GB) вградена Универзална Флеш Меморија (embedded Universal Flash Storage – eUFS) за новата генерација на мобилни уреди. Користејќи ги најновите 64 слојни 512 гигабајтни V-NAND чипови на Самсунг, новиот 512 GB eUFS мемориски пакет овозможува неспоредлив капацитет за складирање и инзвонредни перформанси за новата генерација на паметни телефони и таблети.
“Новите Samsung eUFS од 512GB овозможуваат најдобро решение за складирање за новата генерација премиум паметни телефони, со надминување на потенцијалните ограничувања во перформансите на системот кои може да се појават со употребата на micro SD картичките. Со обезбедување на стабилно снабдување на овој напреден вграден простор за складирање, Самсунг прави голем чекор напред во придонесот за навременото лансирање на новата генерација на мобилни уреди од производителите ширум целиот свет.“ – изјави Џаесу Хан (Jaesoo Han), Извршен Потпретседател на Оддел за Продажба и Маркетинг на Мемориска технологија во Самсунг Електроникс.
Составен од осум 64-слојни 512 гигабајтни V-NAND чипови и контролен чип, новиот Samsung eUFS ја дуплира густината на претходниот 48 слоен 256GB eUFS кој се базира на V-NAND. Зголемениот капацитет на eUFS овозможува многу посеопфатно мобилно искуство. На пример, новиот eUFS со голем капацитет овозможува зачувување на околу 130 видео клипови со 4К Ultra HD квалитет (3840 х 2160) во времетраење од 10 минути*, што претставува десеткратно зголемување на 64GB eUFS која дозволува зачувување на само околу 13 видео клипови со истата големина и квалитет.
За зголемување на перформансот и енергетската ефикасност на новиот 512GB eUFS, Самсунг го претстави и новиот сет на сопствени технологии. Напредниот дизајн на колото на 64 слојниот 512GB V-NAND eUFS и новата технологија за управувањето со енергија во контролорот на 512GB меморија го минимизира неизбежното зголемување на потрошувачката на енергија, што е особено значајно бидејќи новото 512GB eUFS решение содржи два пати повеќе келии во споредба со 256GB eUFS меморија.
Дополнително, контролниот чип на 512GB eUFS го забрзува процесот на мапирање на конвертирањето на логичките блок адреси на адресите на физичките блокови.
Samsung 512GB eUFS исто така има и одлични перформанси за читање и пишување. Со своето секвенцијално читање и пишување достигнува до 860 мегабити во секунда (MB/s) и 255MB/s соодветно, а 512GB вградената меморија овозможува трансфер на 5GB еквивалентен full HD видео клип на SSD меморија во околу 6 секунди, преку 8 пати побрзо од типична microSD картичка.
За различни операции, новото eUFS решение може да прочита 42,000 IOPS и да напише 40,000 IOPS. Врз основа на брзите случајни испишувања на eUFS, кои се приближно 400 пати побрзи од 100 IOPS брзина на конвенционална microSD картичка, корисниците на мобилните уреди ќе може да уживаат во беспрекорното мултимедијално искуство како снимање во висока резолуција, или пребарување на датотеки и превземање на видео материјали во опцијата за двоен преглед на апликации.
Исто така, Самсунг планира постојано да го зголемува обемот на производство за своите 64 слојни 512GB V-NAND чипови, покрај зголемувањето на своето 256GB V-NAND производството, како одговор на зголемената побарувачка на напредната вградена меморија, како и премиум SSD и отстранливите мемориски картички со висока густина и перформанси.
