Flash Gordon беше супербрз (полу)херој, а беше крстен по терминот „flash“ кој во поновото значење значи брзина или брзо завршување на некој процес. По истиот термин беше крстена и flash меморијата (NAND), и тоа не поради постоење на нејзина неверојатна брзина на запишување или читање, туку поради тоа што може да се избрише супербрзо.
Изгледа дека и меморијата и јунакот имаат конкуренција која ќе ги победи на нивен терен. Се работи за новата меморија создадена од Intel и Micron наречена 3D XPoint, која според нивната објава е дури 1.000 пати побрза во читање и запишување од flash/NAND. Да, добро прочитавте – 1.000 пати.
Во главно кај компјутерите има проблем со брзината на запишување и читање податоци. Денешните компјутери и процесори се способни да пресметуваат нуклеарни експлозии и движење на интерконтинентални ракети, но кога треба да го прочитаат новото ниво од некоја игра, ќе си почекате некоја минута додека „штрака“ тврдиот диск.
Со 3D Xpoint веројатно таквите маки ќе завршат, барем привремено. Според објавата, се работи за меморија која не работи со транзистори, туку со менување на состојбата на материјалот (распореден во „мемориски единици“) под електрична енергија. Материјалот е распореден и во 3Д простор (а не само во 2Д, како досегашните мемории), што овозможува да му се зголеми густината на мемориски единици и тоа до 10 пати повеќе од конвенционалната меморија.
Ваквата меморија ќе може да се искористи за многу намени, особено за забрзување на работата на разни серверски фарми или суперкомпјутери (кои, на пример, сега веќе побрзо ќе го обмислуваат следниот ВИ убиец), а потоа веројатно ќе се рашири и во стандардната потрошувачка електроника.
Извор: The Verge, Newsroom.Intel.com
