Повеќето заинтересирани за вести од светот на технологијата веќе знаат како функционира стандардната меморија како РАМ и Флеш. Практично, со помош на електричните полнежи во секоја мемориска ќелија се одредува дали таа е зафатена или не, со што се остварува запис и читање на нејзината состојба изразена во битови – 1 или 0. Ваквиот начин на запис на мемориската информација е доста ограничен бидејќи пружа опција да се запише само еден запис по ќелија. Ова, покрај тоа што прилично го ограничува капацитетот по милиметар квадратен за запишана меморија пружа и забавување на пристапувањето на меморијата бидејќи за да се прочита поголема мемориска секвенца треба да се пристапи до секоја ќелија засебно, што зема време.
Сега, неколку научници од AMBER, The Science Foundation Ireland funded materials научниот центар и Хемиското школо при Trinity колеџот во Даблин, успешно демонстрираа таканаречена повеќеслојна меморија. Практично, со начинот кој го демонстрираат тие, можно е да се кодираат повеќе битови по ќелија место само еден. Тие ова го оствариле користејќи го принципот на отпор кон течение на полнежите, што исто така е познат како отпор-меморија. Добрата работа е што бројот на битови по ќелија можат да се одредат по желба, ограничени само од законите на физиката за задржување на електричен полнеж, што овозможува неколкукратно зголемување на капацитетот и брзината на пристап во однос на стандардните мемориски ќелии.
Професорот Џон Боланд кој доаѓа од AMBER и кој работел на ова откритие изјави: „Ова откритие ни отвора многу можности на консумерите што ќе доведе до помали, поевтини и побрзи електронски уреди. Бидејќи демонстриравме 6 мемориски нивоа по ќелија, веруваме дека (оваа) технологија може да се развие до ниво до уште повеќе мемориски нивоа по ќелија. Мемориски јазик со поголема густина може да ја зголеми ефикасноста и брзината на декстоп и преносните технологии преку намалување на бројот на мемориски локации“.
Инаку моментално се природаваат многу напори кон развиток на понапредна меморија бидејќи очигледно е дека со развитокот на складирањето на податоците во облак како и Интернет на работите (Internet of things) достапноста од огромна, евтина, а брза меморија ќе биде еден од есенцијалните напредоци кои човештвото мора да ги достигне. Пред некое време пишувавме за успесите во ДНК меморијата и за молекуларна Флеш меморија, но ова секако не е крајот на развитокот на мемориската технологија што може јасно да се забележи.
Извор: Phys.org
