Додека нас ни „течат лиги“ по телефоните од високата класа со моќниот Snapdragon 820 и наскоро Snapdragon 821, Qualcomm работи на нов чип кој ќе биде изработен со транзистори со големина од 10 nm и кој благодарение на тоа треба да донесе голем скок во перформансите.
Големината на транзисторите во моментов е најважна за зголемување на брзината на чиповите – помали транзистори значат поголем број на транзистори на самиот чип, што во превод значи повисоки перформанси. Snapdragon 830 ќе биде еден од првите процесори изработени со овој процес, заедно со Intel и MediaTek, кои исто така работат на чипови со транзистори од 10 nm. За разлика од 820-ката, Snapdragon 830 најверојатно ќе има 8 јадра базирани на Kryo архитектурата и скоро со сигурност може да се потврди дека ќе поддржува супер брз LPDDR4X рам.
Според протечените информации од кинеската мрежа Weibo, процесорот е веќе потврден од извршниот директор на компанијата и истиот треба да биде претставен на почетокот на наредната година – исто како и сите чипови од високата класа на Qualcomm досега. Сепак, ќе треба веројатно да почекаме неколку месеци подоцна да го видиме во првите паметни телефони, како на пример Samsung Galaxy S8.
Моќните перформанси на Snapdragon 830 ќе бидат добредојдени за апликациите и игрите за виртуелна и изменета реалност, кои ќе станат многу подобри со Google Daydream и Project Tango.
Извор: TechnoBuffalo, WCCF Tech, BGR
