Qualcomm го претстави нивниот најнов чип од високата класа Snapdragon 835, кој ќе донесе низа подобрувања што со сигурност ќе му овозможат повторно да биде најкористен мобилен чип на планетава.
Ова е првиот чип кој ќе биде произведуван во соработка со Samsung. Оваа соработка ќе овозможи чипот да биде изработен со транзистори со големина од 10 nm. Snapdragon 835 ќе биде еден од првите чипови на планетата кои ќе имаат толку мали транзистори и благодарение на нив, ќе има голем скок во перформансите и потрошувачката на енергија.
Според Samsung, процесор со транзистори од 10 nm споредено со 14 nm, ќе има 27% подобри перформанси и 40% помала потрошувачка. Бидејќи 835-ката ќе има и нова архитектура, би требало да има значителни подобрувања во однос на Snapdragon 820/821, кои се базираат на транзистори од 14 nm.
835-ката ќе донесе и многу побрзо Qualcomm QuickCharge 4.0 полнење, кое ќе овозможи 5 часа користење на телефонот само со 5 минути полнење, односно ќе може за 15 минути да ја наполни батеријата до 50%. Исто така, оваа технологија ќе се базира на USB Power Delivery спецификацијата, што значи дека ќе биде поддржана од новите верзии на Android. Да потсетиме, Google најави дека нема да ги поддржува некомпатибилните технологии за брзо полнење во иднина.
Ова е сепак само прелиминарно претставување, односно еден вид на најава за Snapdragon 835. За финалните спецификации и многу важно, моќноста на вградената графика, веројатно ќе треба да почекаме до почетокот на наредната година. Првите примероци од Snapdragon 835 би требало да се најдат во телефоните во второто тримесечје на 2017 година, а главни „осомничени“ се Samsung Galaxy S8, односно наследникот на HTC 10 и LG G6.
Извор: ARS Technica, Android Central, Qualcomm
